糖心破解版

コンピューターメモリーの高密度化は、これまでメモリーをより狭い领域に作り込む微细加工技术の进展に支えられてきましたが、その延长による高密度化はほぼ限界を迎えています。そこで原子レベルでメモリーとして机能する物质を开発することへの期待が高まっています。その有力な候补物质として磁性体であり强诱电体でもあるビスマスフェライト（叠颈贵别翱₃、叠颈：ビスマス、贵别：鉄、翱：酸素）という物质が注目されてきました。

© 2015 徳永 将史
ビスマスフェライトでは磁気秩序と电気分极が结合した3つの状态があり、これらの状态が磁场で制御される様子のイメージ図。

東京大学物性研究所の徳永将史 准教授らの研究グループは、産業技術総合研究所、福岡大学、上智大学、青山学院大学と協力して、瞬間的に大きな磁場を発生できるパルスマグネットを用いた精密な実験の結果、ビスマスフェライトでこれまで知られていなかった新たな方向の電気分極を発見し、その電気分極が磁場によって制御できることを示しました。この電気分極は一度磁場を加えると元と異なる状態に変化し、磁場を除いた後でも変化後の状態を保持し続けます。電気分極の向きで情報を記録するメモリーとしての使用を考えると、今回観測された効果は特定の状態を保持するのにエネルギーを必要としない不揮発性メモリー効果であり、その効果は室温でも観測されています。

この成果から期待される、电场による磁気状态の制御を使うと、消费电力が少なく、磁石を近づけても情报が乱されない磁気メモリー材料に応用できると期待できます。

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论文情报

M. Tokunaga, M. Akaki, T. Ito, S. Miyahara, A. Miyake, H. Kuwahara, and N. Furukawa,
“Magnetic control of transverse electric polarization in BiFeO₃”,
Nature Communications 6 (2015) 6878, doi: 10.1038/ncomms6878.
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