糖心破解版

东京大学大学院工学系研究科电気系工学専攻の竹中　充　准教授らは住友化学株式会社との共同研究により、歪を加えたシリコン?ゲルマニウム（厂颈骋别、歪シリコン?ゲルマニウム）结晶中において、电子や、电子が抜けることにより正の电荷をもった正孔により诱起される屈折率や吸収率の変化が増大することを、世界で初めて実証しました。

これにより、光ファイバー通信で用いられる近赤外光で动作し、电気信号を光信号に変换できる低消费电力な光変调器の开発に成功しました。今回実现したシリコン?ゲルマニウム光変调器は、既存の大规模集积回路（シリコン基板上に无数のトランジスタを集积した大规模な电子回路）向け半导体工场で容易に作製が可能であり、低消费电力かつ小型な光集积回路を大规模集积回路に内蔵できるようになります。これにより滨罢机器の省电力化、高性能化だけでなく、将来的には大规模集积回路上の配线を光化したワンチップスーパーコンピューターなどの実现に道を拓くものと期待されます。

本成果は、英国科学雑誌「Scientific Reports」2014年 4 月 15 日（火）（英国時間）オンライン版にて公開されました。

论文情报

Y. Kim, M. Takenaka, T. Osada, M. Hata, and S. Takagi,
“Strain-induced enhancement of plasma dispersion effect and free-carrier absorption in SiGe optical modulators”,
Scientific Reports vol. 4, 4683, 2014, doi: 10.1038/srep04683.

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